| 品牌 | 昊量光電 | 產(chǎn)地類別 | 國產(chǎn) |
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| 應(yīng)用領(lǐng)域 | 綜合 |
全自動非接觸晶圓電阻率成像系統(tǒng)
昊量光電代理的德國 Suragus 公司研發(fā)的全自動晶圓成像設(shè)備，專為半導(dǎo)體行業(yè)設(shè)計，通過非接觸式渦流技術(shù)與光學(xué)傳感結(jié)合，實現(xiàn)晶圓基板及涂層的全區(qū)域表征，核心價值在于保障半導(dǎo)體制造的工藝可靠性與質(zhì)量管控，廣泛適配 Si、SiC、GaN 等主流及寬禁帶半導(dǎo)體材料，是兼顧高采樣率、高精度與空間優(yōu)化的一體化檢測解決方案。
一、全自動非接觸晶圓電阻率成像系統(tǒng)核心的技術(shù)與測量的能力
設(shè)備以雙非接觸式渦流傳感器（透射模式） 為核心，搭配光學(xué)傳感模塊，可同步完成電性能與物理形態(tài)的多參數(shù)測量，覆蓋半導(dǎo)體制造關(guān)鍵檢測需求：
1. 電性能參數(shù)
電阻率：測量范圍 0.1–100 mOhm?cm，精度 1–5%（低阻值區(qū)間精度更高），適配低阻半導(dǎo)體材料檢測；
薄層電阻：覆蓋 0.0001–100,000 Ohm/sq（部分版本可擴展至 200,000 Ohm/sq），支持 6 個數(shù)量級測量，滿足從金屬薄膜到高阻涂層的多樣化需求；
金屬層厚度：基于薄層電阻推導(dǎo)，范圍 2 nm–1 mm，可精準(zhǔn)檢測鋁、銅等金屬薄膜及厚膜涂層，適配半導(dǎo)體封裝、晶圓 metallization 等工藝。
2. 物理形態(tài)參數(shù)
總厚度變化（TTV）：300–1,000 μm，通過光學(xué)傳感器捕捉晶圓厚度均勻性，排查基板制造缺陷；
翹曲（Bow/Warpage）：±1 mm，檢測晶圓彎曲程度，避免后續(xù)光刻、鍵合工藝中的對準(zhǔn)偏差；
缺陷識別：可捕捉微觀裂紋、薄膜厚度不均等問題，替代多臺單一功能設(shè)備，簡化質(zhì)檢流程。
二、全自動 非接觸晶圓電阻率成像系統(tǒng)的核心優(yōu)勢
1. 全自動化與高 throughput
配備全自動晶圓盒（Cassette）搬運系統(tǒng)，支持 150 mm（6 英寸）、200 mm（8 英寸）晶圓盒（單盒容量 25 片），2–4 英寸晶圓可通過標(biāo)準(zhǔn)適配器兼容；
檢測效率達 60 片 / 小時（約 1,000 片 / 天），單晶圓測量時間 30–90 秒（可根據(jù)測量點數(shù)調(diào)整），適配量產(chǎn)型半導(dǎo)體產(chǎn)線節(jié)奏；
全程非接觸式操作：僅在晶圓側(cè)面施加微小作用力，避免基板表面劃傷、污染，保障晶圓完整性。
2. 高分辨率與全區(qū)域表征
支持 22,000–100,000 個測量點的全表面 mapping，可生成電阻率、薄層電阻等參數(shù)的高分辨率圖像，直觀呈現(xiàn)材料均勻性；
配套軟件提供直方圖、線掃描、3D 視圖等分析工具，支持局部區(qū)域精準(zhǔn)復(fù)掃，助力工藝問題定位（如離子注入不均、薄膜沉積異常）。
3. 空間與成本優(yōu)化
超小占地面積：設(shè)備尺寸僅 785 mm×1,170 mm×666 mm（約 0.93 ㎡），可直接放置于潔凈室工作臺，節(jié)省昂貴的潔凈室空間；
一體化設(shè)計：集成電性能、物理形態(tài)檢測功能，替代 3–4 臺單一設(shè)備，降低設(shè)備采購、維護及空間占用成本。
4. 寬材料適配性
兼容硅（Si）、砷化鎵（GaAs）、碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）等主流及寬禁帶半導(dǎo)體材料，適配功率半導(dǎo)體、射頻器件、航天級芯片等應(yīng)用；
支持透明導(dǎo)電膜（如 ITO）、石墨烯、導(dǎo)電聚合物等新型材料檢測，拓展至光伏、柔性電子等領(lǐng)域。
三、全自動 非接觸晶圓電阻率成像系統(tǒng)的適用場景
半導(dǎo)體晶圓制造：Si/SiC/GaN 晶圓電阻率、TTV 檢測，保障基板質(zhì)量；
晶圓工藝監(jiān)控：離子注入后電阻率驗證、金屬層沉積厚度管控、退火工藝效果評估；
質(zhì)量 assurance（QA）：量產(chǎn)晶圓批次抽檢、異常晶圓失效分析，符合 SEMI 行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)；
材料研發(fā)：寬禁帶材料（SiC/GaN）、新型導(dǎo)電薄膜的均勻性表征，助力研發(fā)迭代。
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