近紫外/可見(jiàn)光波長(zhǎng)鈮酸鋰（摻MgO）相位調(diào)制器-Covesion/AdvR

目前多數(shù)商用和文獻(xiàn)報(bào)道的器件仍集中在通信波段（如1550 nm）。在近紫外到可見(jiàn)光波段，實(shí)現(xiàn)兼具高帶寬和高功率承受能力的相位調(diào)制器，一直是技術(shù)難點(diǎn)。這主要是因?yàn)槎滩ㄩL(zhǎng)光子能量更高，對(duì)材料的損傷更敏感，且波導(dǎo)設(shè)計(jì)與制造工藝面臨更大挑戰(zhàn)。

Covesion/AdvR推出的基于MgO:LN波導(dǎo)的相位調(diào)制器在緊湊和低損耗的光纖耦合配置下提供低Vpi的高速運(yùn)行。該器件中使用的極化波導(dǎo)提供了比其他寬帶光纖耦合器件更高的功率處理改進(jìn)的PER(偏振消光比）。該相位調(diào)制器可用于客戶(hù)定義的波長(zhǎng)范圍從大約370 nm到850nm。                                                                                                                                 

• 寬波段覆蓋：專(zhuān)門(mén)針對(duì)近紫外到可見(jiàn)光波段進(jìn)行了波導(dǎo)與材料優(yōu)化，能在此波段內(nèi)實(shí)現(xiàn)低損耗、高效率的相位調(diào)制。

• 高帶寬性能：借助精密的波導(dǎo)結(jié)構(gòu)和電極設(shè)計(jì)，器件支持高速信號(hào)調(diào)制，滿(mǎn)足從精密測(cè)量到量子光學(xué)實(shí)驗(yàn)的嚴(yán)苛要求。

• 高功率耐受：利用高摻雜MgO:LN材料優(yōu)異的抗光折變特性，器件可在高功率光輸入下長(zhǎng)期穩(wěn)定工作，無(wú)需擔(dān)心性能劣化。

近紫外/可見(jiàn)光波長(zhǎng)鈮酸鋰（摻MgO）相位調(diào)制器-Covesion/AdvR主要的特點(diǎn)

寬波段：                                                                  370nm-850nm范圍內(nèi)可選

低半波電壓:                                                            Vpi@1Ghz：3V@532nm,5V@780nm

高功率閾值：                                                          780nm@50mw

低插損：                                                                  ≤4dB

高帶寬：                                                                  10Ghz/20Ghz

近紫外/可見(jiàn)光波長(zhǎng)鈮酸鋰 （摻MgO）相位調(diào)制器-Covesion/AdvR主要的應(yīng)用

量子光學(xué)

冷原子/分子/離子

激光頻率鎖定

近紫外/可見(jiàn)光波長(zhǎng)鈮酸鋰 （摻MgO）相位調(diào)制器-Covesion/AdvR的規(guī)格清單：

備注：自定義波長(zhǎng)范圍約370納米至850納米

              帶寬可選20ghz